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Científicos del Instituto de Tecnología de Massachusetts (MIT) descubrieron una aleación de materiales llamada InGaAs (arseniuro de galio indio), puede ser usado para fabricar pequeños y potentes transistores. En un futuro podría ser tan eficiente como los transistores y procesadores hechos a base de silicio utilizados para el alto rendimiento de computadoras.
Por décadas, el silicio ha sido el único material usado para producir procesadores de computadoras y transistores por todas las firmas tecnológicas. Según el Ministerio para la Transición Ecológica y el Reto Demográfico de España (MITECO) el silicio es el segundo componente más abundante en la corteza terrestre. Asimismo, estudios realizados a mineros han demostrado, una continua exposición al silicio cristalino puede causar desde efectos crónicos en la respiración hasta cáncer de pulmón. Sin embargo, con este nuevo material, el silicio podría no ser el único componente de producción masiva de transistores.
Anteriormente, investigadores creyeron, el rendimiento de los transistores hechos con InGaAs se deterioraba cuando se creaban a pequeña escala. Científicos del MIT encontraron, la aleación de materiales InGaAs puede ser usado en transistores pequeños y energéticamente más eficientes. Este descubrimiento ayudaría a potencializar el rendimiento y eficiencia de las computadoras más allá de lo posible con procesadores de silicio. "Esperamos este resultado anime a la comunidad a continuar explorando el uso de InGaAs como material conductor en transistores", dijo Xiaowei Cai, estudiante de doctorado en los Laboratorios de Tecnología de Microsistemas del MIT y Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencias de la Computación, principal autora del estudio.
Este material es conocido por tener "grandiosas propiedades para transportar electrones’"según Cai. Los electrones se pueden comprimir por medio del InGaAs con facilidad, incluso a bajos voltajes, además de procesar señales rápidamente y agilizar los cálculos. También, dichos transistores, por medio de la operación a bajo voltaje, pueden mejorar la eficiencia de energía de la computadora.
La científica explicó, a bajas frecuencias el rendimiento de los transistores de InGaAs a nanoescala parecían deteriorarse. Pero a frecuencias de un gigahertz o más pueden trabajar muy bien, la captura de óxido, el principal problema de deterioro, ya no es un obstáculo a esa frecuencia. "Cuando operamos estos dispositivos a muy altas frecuencias, notamos un muy buen rendimiento; pueden competir con los transistores a base de silicio", señaló Cai.
En un futuro se esperan nuevos estudios para poder consolidar al InGaAs como material para fabricar procesadores de computadoras. Los potentes transistores darían un respiro al uso de silicio y representarían una alternativa para lograr grandes avances en la tecnología computacional.
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